• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
  • UH2CHE3_A/I
    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AA, SMB
    • Тип корпуса: DO-214AA (SMB)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A
    • Прямое напряжение: 1.05V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 2µA @ 150V
    • Емкость @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GBPC2506W-G
    BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-Square, GBPC-W
    • Тип корпуса: GBPC-W
    • Тип диода: Single Phase
    • Средний выпрямленный ток (Io): 25A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 12.5A
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Технология: Standard
    • Обратное пиковое напряжение: 600V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RD24F-T8-AZ
    DIODE ZENER
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZX884-C18,315
    NEXPERIA BZX884-C18 - ZENER DIOD
    NXP Semiconductors
    • Производитель: NXP Semiconductors
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: DFN1006-2
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 50nA @ 12.6V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Напряжение стабилизации: 18V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 45 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1PS301/ZL115
    RECTIFIER DIODE
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UF4002-E3/54
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Ток утечки: 10µA @ 100V
    • Емкость @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBZ5241AW_R1_00001
    SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    Panjit International Inc.
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Ток утечки: 2µA @ 8.4V
    • Допуск: ±2%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 11V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 22 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GP08D-E3/54
    DIODE GEN PURP 200V 800MA DO204
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: SUPERECTIFIER®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 800mA
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 800mA
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 2µs
    • Ток утечки: 5µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN1N5528B-1
    DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/437
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Ток утечки: 500nA @ 7.5V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 8.2V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX1N4994US
    DIODE ZENER 330V 5W D5B
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/356
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: E-MELF
    • Тип корпуса: D-5B
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
    • Ток утечки: 2µA @ 251V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Напряжение стабилизации: 330V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 1.175 kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS1N6316US
    DIODE ZENER 4.7V 500MW MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/533
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: SQ-MELF, B
    • Тип корпуса: B, SQ-MELF
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 1A
    • Ток утечки: 5µA @ 1.5V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 4.7V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 17 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PDS5100H-13-36
    DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI5
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: PowerDI™ 5
    • Тип корпуса: PowerDI™ 5
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 5A
    • Прямое напряжение: 800mV @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3.5µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DFLS240LQ-7
    DIODE SCHOTTKY 40V 2A POWERDI123
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: POWERDI®123
    • Тип корпуса: PowerDI™ 123
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A
    • Прямое напряжение: 650mV @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 50µA @ 20V
    • Емкость @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZG05B4V7-HM3-08
    DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 3µA @ 1V
    • Допуск: ±1.91%
    • Мощность - Макс.: 1.25W
    • Напряжение стабилизации: 4.7V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 13 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CDBD2060-G
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Прямое напряжение: 750mV @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 60V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 20A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.