• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1381
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
Серия
ZMV933ATA DIODE VAR CAP 42PF 12V SOD-323 Diodes Incorporated SC-76, SOD-323 12V 150 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOD-323 12pF @ 4V, 50MHz
BB844E6327HTSA1 DIODE VARACTOR 18V DUAL SOT23-3 Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 18V 1 Pair Common Cathode Surface Mount PG-SOT23 -55°C ~ 150°C (TJ) 13pF @ 8V, 1MHz 3.8 C2/C8
BB 565-02V E7902 DIODE VAR CAP 30V 20MA SC-79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.2pF @ 28V, 1MHz 11 C1/C28
BBY 57-02W E6327 DIODE TUNING 10V 20MA SCD-80 Infineon Technologies SC-80 10V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 125°C (TJ) 5.5pF @ 4V, 1MHz 4.5 C1/C4
BB804SF1E6327HTSA1 DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23 Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 18V 200 @ 2V, 100MHz 1 Pair Common Cathode Surface Mount PG-SOT23 -55°C ~ 125°C (TJ) 47.5pF @ 2V, 1MHz 1.71 C2/C8
GC1719-192 SI TVAR NON HERMETIC MICROSTRIP Microchip Technology 60V 800 @ 4V, 50MHz Single -55°C ~ 125°C 33pF @ 4V, 1MHz 7 C0/C60
GMV1542-GM1 SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT Microchip Technology 0805 (2012 Metric) 30V 3800 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount 0805 -55°C ~ 125°C 0.75pF @ 30V, 1MHz 3.4 C0/C30 GIGAMITE®
MV21010-190 GAAS TVAR NON HERMETIC MICROSTRI Microchip Technology Die 30V 4000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 175°C 2.2pF @ 4V, 1MHz 4.6 C0/C30
BB179B,315 DIODE UHF VAR CAP 32V SOD523 NXP USA Inc. SC-79, SOD-523 32V Single Surface Mount SOD-523 -55°C ~ 125°C (TJ) 2.25pF @ 28V, 1MHz 10 C1/C28
RKV607KL#R1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
MV1403 DIODE VAR CAP SINGLE 12V Rochester Electronics, LLC
SVC203SPA VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
MMVL535T1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
BB669E7904HTSA1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-76, SOD-323 30V Single Surface Mount PG-SOD323-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.9pF @ 28V, 1MHz 23.2 C1/C28
GVD1404-001 DIODE VARACTOR 10V SINGLE SOT23 Sprague-Goodman TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 10V 50 @ 2V, 10MHz Single Surface Mount SOT-23 -55°C ~ 125°C (TJ) 10.6pF @ 4V, 10MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.


Справочная информация по основным параметрам:

Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.