Полупроводники, Диоды, Варикапы, варакторы ESC
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3pF @ 25V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 34V
- Коэфициент емкости: 12.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C25
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 2.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 8.7pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 2
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 2.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C10
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 2.5
- Параметры коэфициента емкости: C0.5/C2.5
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 7.1pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 4.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 4.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.45pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 2.1
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 2.4
- Параметры коэфициента емкости: C2/C10
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100