Варикапы, варакторы | Диоды

Выводить по:

Найдено: 1381

HVC375BTRF-E

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HVC417CTRU-E

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MA27V1500L

DIODE VARIABLE CAP 6V SSS-MINI

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: SSSMini2-F1
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.23pF @ 2.5V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 6V
- Коэфициент емкости: 2.55
- Параметры коэфициента емкости: C0.5/C2.5
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HVC355B10TRF-E

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BB 844 E6327

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 13pF @ 8V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 18V
- Коэфициент емкости: 3.8
- Параметры коэфициента емкости: C2/C8
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MA46H072-1056

DIODE, VARACTOR, GAAS

MACOM Technology Solutions
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: 2-SMD
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.3pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Коэфициент емкости: 7.5
- Параметры коэфициента емкости: C0/C20
- Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 1MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RKV500KK-N#R1

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MV21003-M23

GAAS TVAR HERMETIC PILL

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3.4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 7000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SVC236-TB-E

DIFFUSED JUNCTION TYPE SILICON V

Sanyo
- Производитель: Sanyo
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: 3-CP
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 16V
- Коэфициент емкости: 5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C6.5
- Добротность @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MA2SV0900L

DIODE VARIABLE CAP 6V SSMINI-2P

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SSMini2-F2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 9.2pF @ 3V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 6V
- Коэфициент емкости: 1.87
- Параметры коэфициента емкости: C1/C3
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HVU362TRF-E

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BB535E7904

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: PG-SOD323-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 9.8
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MV39003-P2715

GAAS TVAR NON HERMETIC FLIP CHIP

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 18V
- Коэфициент емкости: 5.6
- Параметры коэфициента емкости: C2/C12
- Добротность @ Vr, F: 3500 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HVC200ATRU-E

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZV953V2TA

DIODE VARACTOR LV 250Q SOD-523

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: SOD-523
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 37pF @ 1.5V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Коэфициент емкости: 2
- Параметры коэфициента емкости: C0.5/C2.5
- Добротность @ Vr, F: 200 @ 0.5V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.

Справочная информация по основным параметрам:

Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости

Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.

Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.

Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.

Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.

Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.

	Значение	Кол‑во
	0402 ⇒	16
	0805 ⇒	9
	0805-2 ⇒	3
	2-ECSP1008 ⇒	2
	2-FlipChip ⇒	2
	2-UFP ⇒	6
	3-CP ⇒	6
	3-CPH ⇒	4
	3-MCPH ⇒	9
	Axial ⇒	1
	Chip ⇒	156
	DFN1006D-2 ⇒	2
	Die ⇒	7
	DO-34 ⇒	2
	DO34-A1 ⇒	1
	ESC ⇒	11
	H27 ⇒	1
	ML3-N2 ⇒	13
	ODS-1088 ⇒	2
	ODS-120 ⇒	1
	ODS-186 ⇒	3
	P55 ⇒	2
	PG-SC79-2 ⇒	37
	PG-SC79-2-1 ⇒	3
	PG-SCD80-2 ⇒	4
	PG-SOD323-2 ⇒	40
	PG-SOT23 ⇒	17
	PG-SOT323 ⇒	10
	PG-SOT323-3 ⇒	7
	PG-TSLP-2-1 ⇒	7
	PG-TSLP-3-1 ⇒	1
	PG-TSSLP-2-1 ⇒	1
	SC-59-3/CP3 ⇒	1
	SC-70-3 ⇒	5
	SC-70 3-Lead ⇒	1
	SC-70FL/MCPH3 ⇒	1
	SC-79 ⇒	42
	SCD-80 ⇒	58
	S-Mini ⇒	1
	SMLP ⇒	3

Справочная информация по основным параметрам:

Тип корпуса (40)