Полупроводники, Диоды, Варикапы, варакторы DFN1006D-2
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 2-XDFN
- Тип корпуса: DFN1006D-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 32V
- Коэфициент емкости: 15
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 2-XDFN
- Тип корпуса: DFN1006D-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.22pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 10.9
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100