- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Коэфициент емкости: 1.9
- Параметры коэфициента емкости: C3/C8
- Добротность @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: PG-SOD323-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 15.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 10.6pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Коэфициент емкости: 17.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C10
- Добротность @ Vr, F: 130 @ 2V, 10MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: SOD-523
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.225pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 10.9
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 12.7
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 23.2
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 25V
- Коэфициент емкости: 6
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 4
- Параметры коэфициента емкости: C4/C20
- Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-1
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 6V
- Коэфициент емкости: 2.6
- Параметры коэфициента емкости: C1/C3
- 10
- 15
- 50
- 100