• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
Найдено: 69821
  • DIODE GEN PURP 800V 650A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: DO-200AA, A-PUK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 650A
    • Прямое напряжение: 950mV @ 450A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 20mA @ 800V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCHOTTKY BARRIER DIODE
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 200V 5A SMC
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AB, SMC
    • Тип корпуса: SMC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 5A
    • Прямое напряжение: 900mV @ 5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 50µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150mA
    • Прямое напряжение: 880mV @ 20mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 50 nA @ 40 V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HYPERFAST RECTIFIER DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 16A ITO220AC
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: ITO-220AC
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 16A
    • Прямое напряжение: 975mV @ 16A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-41
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Ток утечки: 5µA @ 400V
    • Емкость @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 150A TO244
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 150A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 150ns
    • Ток утечки: 25µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMB
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AA, SMB
    • Тип корпуса: SMB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A
    • Прямое напряжение: 650mV @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 100µA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ARRAY SBR 40V 20A TO220AB
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: SBR®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Тип диода: Super Barrier
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Прямое напряжение: 530mV @ 20A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 40V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 20A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GP 2KV 3600A POWRDISC
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: DO-200AD
    • Тип корпуса: Pow-R-Disc
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3600A
    • Прямое напряжение: 1.15V @ 3000A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 22µs
    • Ток утечки: 200mA @ 2000V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-219AB
    • Тип корпуса: Sub SMA
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 1A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 1.8µs
    • Ток утечки: 5µA @ 800V
    • Емкость @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 15A D2PAK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 15A
    • Прямое напряжение: 560mV @ 15A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.75mA @ 40V
    • Емкость @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 1.2KV 200A D2
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D2
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 300A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 9mA @ 1200V
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V TO220FP
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP-2L
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 20A (DC)
    • Прямое напряжение: 3V @ 20A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.