Найдено: 37
  • DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: TO-220FP
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 2.9V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 40ns
    • Ток утечки: 200µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD M
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 10A D2PAK
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 250µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 500V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 2.9V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Ток утечки: 200µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SILICON CARBIDE POWER DIODE
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 110µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DUAL HYPERFAST POWER DIODE
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 40ns
    • Ток утечки: 10µA @ 400V
    • Рабочая температура перехода: 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 500V 10A TO220FP
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: TO-220FP
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 500V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 2.5V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 18ns
    • Ток утечки: 200µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 500V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 2.9V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Ток утечки: 200µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 250µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MA
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 5-DFN (8x8)
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SILICON CARBIDE POWER DIODE
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 110µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ULTRAFAST POWER DIODE IN 2-LEADS
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 2V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: