Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
UJ3D1210K2 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3, UnitedSiC TO-247-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 110µA @ 1200V 510pF @ 1V, 1MHz 1.6V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
UJ3D06510TS 650V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3, UnitedSiC TO-220-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 60µA @ 650V 327pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C Gen-III
UJ3D1210TS 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3, UnitedSiC TO-220-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 110µA @ 1200V 510pF @ 1V, 1MHz 1.6V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
UJ3D06520KSD 650V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3, UnitedSiC TO-247-3 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247-3 No Recovery Time > 500mA (Io) 120µA @ 650V 654pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C Gen-III
UJ3D1220KSD 1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3, UnitedSiC TO-247-3 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247-3 No Recovery Time > 500mA (Io) 220µA @ 1200V 1020pF @ 1V, 1MHz 1.6V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
UJ3D1210KS 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3, UnitedSiC TO-247-3 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247-3 No Recovery Time > 500mA (Io) 110µA @ 1200V 510pF @ 1V, 1MHz 1.6V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C