Полупроводники, Диоды, Выпрямители Toshiba Semiconductor and Storage 10A (DC)

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 20

CLS03(TE16L,DNSO,Q

DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.58V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Емкость @ Vr, F: 345pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS03(TE16R,Q)

DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.58V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Емкость @ Vr, F: 345pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS02(TE16R,Q)

DIODE SCHOTTKY 40V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.55V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 420pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS01(TE16R,Q)

DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 470mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 30V
- Емкость @ Vr, F: 530pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS02(TE16L,HIT,Q)

DIODE SCHOTTKY 40V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.55V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 420pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS03(TE16L,PSD,Q)

DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.58V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Емкость @ Vr, F: 345pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS03(TE16L,PCD,Q)

DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.58V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Емкость @ Vr, F: 345pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS01(TE16L,PAS,Q)

DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 470mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 30V
- Емкость @ Vr, F: 530pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS03(T6L,CANO-O,Q

DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.58V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Емкость @ Vr, F: 345pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS02(T6L,CANO-O,Q

DIODE SCHOTTKY 40V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.55V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 420pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS03(TE16L,SQC,Q)

DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.58V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Емкость @ Vr, F: 345pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS01,LFJFQ(O

DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.47V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 30V
- Емкость @ Vr, F: 530pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS02(TE16L,SQC,Q)

DIODE SCHOTTKY 40V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.55V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 420pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TRS10E65F,S1Q

DODE SCHOTTKY 650V TO220

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220-2L
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLS03,LNITTOQ(O

DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.58V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Емкость @ Vr, F: 345pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: