-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TRS10A65F,S1Q | PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=10 | Toshiba Semiconductor and Storage | TO-220-2 Full Pack | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F-2L | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 36pF @ 650V, 1MHz | 1.6V @ 10A | 650V | 0ns | 175°C (Max) |
| CLS02(T6L,CLAR,Q) | DIODE SCHOTTKY 40V 10A L-FLAT | Toshiba Semiconductor and Storage | L-FLAT™ | 10A (DC) | Schottky | Surface Mount | L-FLAT™ (4x5.5) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 40V | 420pF @ 10V, 1MHz | 0.55V @ 10A | 40V | -40°C ~ 125°C | |
| CLS03(T6L,SHINA,Q) | DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT | Toshiba Semiconductor and Storage | L-FLAT™ | 10A (DC) | Schottky | Surface Mount | L-FLAT™ (4x5.5) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 60V | 345pF @ 10V, 1MHz | 0.58V @ 10A | 60V | -40°C ~ 125°C | |
| CLS01(T6LSONY,Q) | DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT | Toshiba Semiconductor and Storage | L-FLAT™ | 10A (DC) | Schottky | Surface Mount | L-FLAT™ (4x5.5) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 30V | 530pF @ 10V, 1MHz | 470mV @ 10A | 30V | -40°C ~ 125°C | |
| TRS10E65C,S1Q | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L | Toshiba Semiconductor and Storage | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2L | No Recovery Time > 500mA (Io) | 90µA @ 650V | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | 175°C (Max) |
- 10
- 15
- 50
- 100