Полупроводники, Диоды, Выпрямители Toshiba Semiconductor and Storage 100mA

Найдено: 38
  • DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: SL2
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 500mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 50µA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 9.02pF @ 2V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 0201 (0603 Metric)
    • Тип корпуса: SC2
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 500mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 50µA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 9.3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 0201 (0603 Metric)
    • Тип корпуса: SC2
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 620mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 700µA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 8.2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: SC-79
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 10nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 500ns
    • Ток утечки: 1µA @ 400V
    • Емкость @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 10V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 500mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 20µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 10µA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: fSC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 620mV @ 50mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 5µA @ 40V
    • Емкость @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: ESC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 600mV @ 50mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 5µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: ESC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 600mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 5µA @ 40V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: ESC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 10V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 500mV @ 100mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 20µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: ESC
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 500nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 1µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59-3
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 500nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-76, SOD-323
    • Тип корпуса: USC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 10V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 500mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 20µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: