• Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 38
  • 1SS417CT,L3F
    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: fSC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 620mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 5µA @ 40V
    • Емкость @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DSF01S30SC(TPL3)
    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 0201 (0603 Metric)
    • Тип корпуса: SC2
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 500mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 50µA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 9.3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS193S,LF(D
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 500nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS385,LF(CT
    SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SSM
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 10V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 500mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 20µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS372(TE85L,F)
    SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: USM
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 10V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 500mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 20µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS403,H3F
    DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-76, SOD-323
    • Тип корпуса: USC
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 1µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS193,LF
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 500nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS403E,L3F
    SINGLE SWITCHING DIODE 200V 0.1A
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: ESC
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 1µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS352,H3F
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-76A
    • Тип корпуса: SC-76-2
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 500nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS427,L3M
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOD-923
    • Тип корпуса: SOD-923
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 1.6ns
    • Ток утечки: 500nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS388(TL3,F,D)
    DIODE SCHOTTKY 45V 100MA ESC
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: ESC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 600mV @ 50mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 5µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 18pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 100°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS387CT,L3F
    DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: CST2
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 1.6ns
    • Ток утечки: 500nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS250(TE85L,F)
    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 1µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SS190TE85LF
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59-3
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 500nA @ 80V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DSR01S30SL,L3F
    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: SL2
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 620mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 700nA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 8.2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100