-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMEG100V080ELPDZ | DIODE SCHOTTKY 100V 8A CFP15 | Nexperia USA Inc. | TO-277, 3-PowerDFN | 8A | Schottky | Surface Mount | CFP15 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 100V | 110pF @ 10V, 1MHz | 850mV @ 8A | 100V | 10ns | 175°C (Max) | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG100V080ELPDAZ | DIODE SCHOTTKY 100V 8A CFP15 | Nexperia USA Inc. | TO-277, 3-PowerDFN | 8A | Schottky | Surface Mount | CFP15 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 100V | 110pF @ 10V, 1MHz | 850mV @ 8A | 100V | 10ns | 175°C (Max) | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG100T080ELPE-QZ | PMEG100T080ELPE-Q/SOT1289B/CFP | Nexperia USA Inc. | TO-277, 3-PowerDFN | 8A | Schottky | Surface Mount | CFP15B | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 4µA @ 100V | 680pF @ 1V, 1MHz | 810mV @ 8A | 100V | 19ns | 175°C | |
PMEG100V080ELPE-QZ | LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY BAR | Nexperia USA Inc. | TO-277, 3-PowerDFN | 8A | Schottky | Surface Mount | CFP15B | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 100V | 97pF @ 10V, 1MHz | 850mV @ 8A | 100V | 10ns | 175°C | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG100T080ELPEZ | DIODE SCHOTTKY 100V 8A CFP15B | Nexperia USA Inc. | TO-277, 3-PowerDFN | 8A | Schottky | Surface Mount | CFP15B | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 4µA @ 100V | 680pF @ 1V, 1MHz | 810mV @ 8A | 100V | 19ns | 175°C | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG100V080ELPEZ | LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY BAR | Nexperia USA Inc. | TO-277, 3-PowerDFN | 8A | Schottky | Surface Mount | CFP15B | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 100V | 97pF @ 10V, 1MHz | 850mV @ 8A | 100V | 10ns | 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100