-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDL12G65C5XUMA2 | DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4 | Infineon Technologies | 4-PowerTSFN | 12A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-VSON-4 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 190µA @ 650V | 360pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 12A | 650V | 0ns | -55°C ~ 150°C | CoolSiC™+ |
| IDK12G65C5XTMA2 | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2 | Infineon Technologies | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 12A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-TO263-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 360pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 12A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | |
| IDW24G65C5BXKSA2 | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 12A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO247-3 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 190µA @ 650V | 360pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 12A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
- 10
- 15
- 50
- 100