Найдено: 18
  • DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 4-PowerTSFN
    • Тип корпуса: PG-VSON-4
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 12A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 190µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: PG-TO263-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 12A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Емкость @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 12A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 190µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: