-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRD3CH53DB6 | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE | Infineon Technologies | Die | 100A | Standard | Surface Mount | Die | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 2µA @ 1200V | 2.7V @ 100A | 1200V | 270ns | -40°C ~ 150°C |
| IDC51D120T6MX1SA3 | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER | Infineon Technologies | Die | 100A | Standard | Surface Mount | Sawn on foil | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 18µA @ 1200V | 2.05V @ 100A | 1200V | -40°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100