-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3S12015H | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 2-P | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 21A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 1700pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 15A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| G3S12005H | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 21A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 475pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 5A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| G5S12005D | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 21A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 424pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 5A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| G3S06510M | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 21A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 690pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100