-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GB10SLT12-252 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 | GeneSiC Semiconductor | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 250µA @ 1200V | 520pF @ 1V, 1MHz | 2V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| GB10SLT12-220 | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | GeneSiC Semiconductor | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 1200V | 520pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100