• Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
CDBJFSC10650-G DIODE, SIC STKY 10A 650V TO-220F Comchip Technology TO-220-2 Full Pack 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 650V 710pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
CDBJFSC101200-G DIODE SIC 10A 1200V TO-220F Comchip Technology TO-220-2 Full Pack 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 780pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
ACSFC1007-HF AUTOMOTIVE RECTIFIER SUPER FAST Comchip Technology DO-214AB, SMC 10A (DC) Standard Surface Mount DO-214AB (SMC) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 600V 65pF @ 4V, 1MHz 1.75V @ 10A 600V 35ns -55°C ~ 175°C
CDBJSC101200-G DIODE SIC 10A 1200V TO-220-2 Comchip Technology TO-220-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 780pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
CDBJSC10650-G DIODE SIC 10A 650V TO-220-2 Comchip Technology TO-220-2 Full Pack 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 650V 710pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
CDBDSC10650-G DIODE SIC 10A 650V TO-252/DPAK Comchip Technology TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount DPAK No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 650V 690pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100