• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 10
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
PMEG3010ESBZ DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45µA @ 30V 32pF @ 10V, 1MHz 565mV @ 1A 30V 3.2ns 150°C (Max)
PMEG3010AESBZ DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.25mA @ 30V 32pF @ 10V, 1MHz 480mV @ 1A 30V 3.5ns 150°C (Max)
PMEG6010ESBYL DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30µA @ 60V 20pF @ 10V, 1MHz 730mV @ 1A 60V 2.4ns 150°C (Max)
PMEG4010AESBYL DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD993 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1250µA @ 40V 75pF @ 1V, 1MHz 505mV @ 1A 40V 3.1ns 150°C (Max)
PMEG4010ESBYL DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40µA @ 40V 22pF @ 10V, 1MHz 610mV @ 1A 40V 2.9ns 150°C (Max)
PMEG4010ESBZ DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40µA @ 40V 22pF @ 10V, 1MHz 610mV @ 1A 40V 2.9ns 150°C (Max)
PMEG3010AESBYL DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD993 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 255µA @ 20V 86pF @ 1V, 1MHz 480mV @ 1A 30V 3.5ns 150°C (Max)
PMEG3010ESBYL DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45µA @ 30V 32pF @ 10V, 1MHz 565mV @ 1A 30V 3.2ns 150°C (Max)
PMEG6010AESBYL DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 650µA @ 60V 20pF @ 10V, 1MHz 625mV @ 1A 60V 2.4ns 150°C (Max)
PMEG4010AESBZ DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2 Nexperia USA Inc. 2-XDFN 1A Schottky Surface Mount DSN1006-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.25mA @ 40V 22pF @ 10V, 1MHz 505mV @ 1A 40V 3.1ns 150°C (Max)
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100