-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAT54QBZ | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 3DFN | Nexperia USA Inc. | 3-XDFN Exposed Pad | 200mA (DC) | Schottky | Surface Mount, Wettable Flank | DFN1110D-3 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 2µA @ 25V | 10pF @ 1V, 1MHz | 800mV @ 100mA | 30V | 5ns | 150°C | Automotive, AEC-Q101 |
| BAS21QB-QZ | BAS21QB-Q/SOT8015/DFN1110D-3 | Nexperia USA Inc. | 3-XDFN Exposed Pad | 250mA (DC) | Standard | Surface Mount, Wettable Flank | DFN1110D-3 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100nA @ 200V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.25V @ 200mA | 200V | 50ns | 150°C | |
| BAT54QB-QZ | BAT54QB-Q/SOT8015/DFN1110D-3 | Nexperia USA Inc. | 3-XDFN Exposed Pad | 200mA (DC) | Schottky | Surface Mount, Wettable Flank | DFN1110D-3 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 2µA @ 25V | 10pF @ 1V, 1MHz | 800mV @ 100mA | 30V | 5ns | 150°C | |
| BAS21QBZ | DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN | Nexperia USA Inc. | 3-XDFN Exposed Pad | 250mA (DC) | Standard | Surface Mount, Wettable Flank | DFN1110D-3 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100nA @ 200V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.25V @ 200mA | 200V | 50ns | 150°C | Automotive, AEC-Q101 |
- 10
- 15
- 50
- 100