-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANHCB1N6642 | SIGNAL/COMPUTER DIODE | Microchip Technology | D, Axial | 300mA | Standard | Through Hole | D, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 75V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 75V | 5ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/394 |
| 1N6640/TR | SIGNAL/COMPUTER DIODE | Microchip Technology | D, Axial | 300mA | Standard | Through Hole | D, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100nA @ 50V | 1V @ 200mA | 50V | 4ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/609 | |
| 1N6638 | DIODE GEN PURPOSE | Microchip Technology | D, Axial | 300mA | Standard | Through Hole | D, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 125V | 2pF @ 0V, 1MHz | 1.1V @ 200mA | 125V | 4.5ns | -65°C ~ 200°C | |
| JANKCB1N6642 | SIGNAL/COMPUTER DIODE | Microchip Technology | D, Axial | 300mA | Standard | Through Hole | D, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 75V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 75V | 5ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/578 |
- 10
- 15
- 50
- 100