-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N5420/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 600V | 1.5V @ 9A | 600V | 400ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/411 | ||||||
| JANTX1N6349C | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±2% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 110V | 500 Ohms | 50nA @ 84V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANS1N5417/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.5V @ 9A | 200V | 150ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/411 | |||||||
| JANTXV1N6354 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 180V | 1500 Ohms | 50 nA @ 137 V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/516 | |||||||
| JANTX1N5420 | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 600V | 1.5V @ 9A | 600V | 400ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/411 | ||||||
| JANS1N6864/TR | DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Schottky | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 18 mA @ 80 V | 700mV @ 3A | 80V | -65°C ~ 125°C | Military, MIL-PRF-19500/620 | |||||||
| JANTXV1N6864/TR | DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Schottky | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 18 mA @ 80 V | 700mV @ 3A | 80V | -65°C ~ 125°C | Military, MIL-PRF-19500/620 | |||||||
| JANS1N6338C | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±2% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 39V | 55 Ohms | 50nA @ 30V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANS1N6355C | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±2% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 200V | 1800 Ohms | 50 nA @ 152 V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| 1N5417/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | Axial | 3A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 200V | 1.5V @ 9A | 200V | 150ns | -65°C ~ 175°C | |||||||
| JANS1N6325 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 11V | 7 Ohms | 1µA @ 8.5V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| 1N5418E3/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 400V | 1.5V @ 9A | 400V | 150ns | -65°C ~ 175°C | |||||||
| JANTX1N6355 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 200V | 1800 Ohms | 50 nA @ 152 V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANS1N5420 | RECTIFIER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.5V @ 9A | 600V | 400ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/411 | |||||||
| JANTXV1N6354D | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±1% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 180V | 1500 Ohms | 50 nA @ 137 V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 |
- 10
- 15
- 50
- 100