• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 256
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
JAN1N6355C ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±2% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 200V 1800 Ohms 50 nA @ 152 V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N6338 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 39V 55 Ohms 50nA @ 30V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N6331D ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±1% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 20V 18 Ohms 50nA @ 15V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JAN1N6354C ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±2% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 180V 1500 Ohms 50 nA @ 137 V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N4964 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 18V 4 Ohms 5µA @ 13.7V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANS1N4976/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 56V 35 Ohms 2µA @ 42.6V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANS1N6342 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 56V 100 Ohms 50nA @ 43V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANTXV1N5420 DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Microchip Technology B, Axial 3A Standard Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 600V 1.5V @ 9A 600V 250ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/411
JANS1N5551 RECTIFIER DIODE Microchip Technology B, Axial 5A Standard Through Hole B, Axial Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.2V @ 9A 400V 2µs -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/420
JAN1N6354 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 180V 1500 Ohms 50 nA @ 137 V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/516
JANS1N6349 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 110V 500 Ohms 50nA @ 84V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N6310 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 2.7V 30 Ohms 60µA @ 1V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N6350 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 120V 600 Ohms 50nA @ 91V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANTX1N6333 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 24V 24 Ohms 50nA @ 18V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANTXV1N6352 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 150V 1000 Ohms 50 nA @ 114 V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100