• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 256
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
JANS1N6335 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 30V 32 Ohms 50nA @ 23V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
1N5811E3 RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology B, Axial 3A Standard Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 150V 60pF @ 10V, 1MHz 875mV @ 4A 150V 30ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/477
JANS1N6864 SCHOTTKY DIODE Microchip Technology B, Axial 3A Schottky Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 mA @ 80 V 700mV @ 3A 80V -65°C ~ 125°C Military, MIL-PRF-19500/620
UES1301/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology B, Axial 6A Standard Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 925mV @ 6A 50V 30ns -55°C ~ 175°C
JANS1N4977 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 62V 42 Ohms 2µA @ 47.1V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANS1N4958 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 10V 2 Ohms 25µA @ 7.6V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JAN1N5420/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology B, Axial 3A Standard Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 600V 1.5V @ 9A 600V 400ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/411
JANTX1N6355C ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±2% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 200V 1800 Ohms 50 nA @ 152 V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N6330 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 18V 14 Ohms 50nA @ 14V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
UES1306HR2/TR UFR,FRR Microchip Technology B, Axial 5A Standard Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20µA @ 400V 1V @ 5A 400V 50ns
JANS1N6352 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 150V 1000 Ohms 50 nA @ 114 V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N4965 ZENER DIODE Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 20V 4.5 Ohms 2µA @ 15.2V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANS1N4974/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology B, Axial Through Hole ±5% B, Axial -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 47V 25 Ohms 2µA @ 35.8V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANS1N5807 RECTIFIER DIODE Microchip Technology B, Axial 6A Standard Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 875mV @ 4A 50V 30ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/477
JANTX1N5822/TR DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY Microchip Technology B, Axial 3A Schottky Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 40V 500mV @ 3A 40V -65°C ~ 125°C Military, MIL-PRF-19500/620
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100