• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
JANTX1N5806URS DIODE GEN PURP 150V 1A APKG Microchip Technology SQ-MELF, A 1A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 150V 25pF @ 10V, 1MHz 875mV @ 1A 150V 25ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/477
JAN1N5806URS DIODE GEN PURP 150V 1A APKG Microchip Technology SQ-MELF, A 1A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 150V 25pF @ 10V, 1MHz 875mV @ 1A 150V 25ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/477
JANTXV1N5804URS DIODE GEN PURP 100V 1A APKG Microchip Technology SQ-MELF, A 1A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 100V 25pF @ 10V, 1MHz 875mV @ 1A 100V 25ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/477
1N6626US DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF Microchip Technology SQ-MELF, A 1.75A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 220V 40pF @ 10V, 1MHz 1.35V @ 2A 220V 30ns -65°C ~ 150°C
1N6631US DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF Microchip Technology SQ-MELF, A 1.4A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4µA @ 1100V 40pF @ 10V, 1MHz 1.4V @ 1.4A 1100V 60ns -65°C ~ 150°C
1N6620US DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF Microchip Technology SQ-MELF, A 1.2A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 220V 10pF @ 10V, 1MHz 1.4V @ 1.2A 220V 30ns -65°C ~ 150°C
1N6622US/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology SQ-MELF, A 1.2A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 660V 10pF @ 10V, 1MHz 1.4V @ 1.2A 660V 30ns -65°C ~ 150°C
1N6625US/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology SQ-MELF, A 1A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1 µA @ 1.1 V 10pF @ 10V, 1MHz 1.75V @ 1A 1.1 V 60ns -65°C ~ 150°C
UES1102SM DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF Microchip Technology SQ-MELF, A 2.5A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 100V 3.5pF @ 6V, 1MHz 100V 25ns 150°C (Max)
1N6621US DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF Microchip Technology SQ-MELF, A 1.2A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 440V 10pF @ 10V, 1MHz 1.4V @ 1.2A 440V 30ns -65°C ~ 150°C
1N6624US DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF Microchip Technology SQ-MELF, A 1A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 990V 10pF @ 10V, 1MHz 1.55V @ 1A 990V 50ns -65°C ~ 150°C
1N6627US/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology SQ-MELF, A 1.75A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 440V 40pF @ 10V, 1MHz 1.35V @ 2A 440V 30ns -65°C ~ 150°C
1N6623US DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF Microchip Technology SQ-MELF, A 1A Standard Surface Mount A-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 880V 10pF @ 10V, 1MHz 1.55V @ 1A 880V 50ns -65°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100