• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 85
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
UES1105HR2 RECTIFIER Microchip Technology A, Axial 2A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.25V @ 1A 300V 50ns
JANS1N6620 ZENER DIODE Microchip Technology A, Axial 2A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 200V 10pF @ 10V, 1MHz 1.4V @ 1.2A 200V 45ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/585
JANS1N5617/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.6V @ 3A 400V 150ns -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/429
JANS1N5623 RECTIFIER DIODE Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.6V @ 3A 500ns -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/429
1N6625E3/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 1V 1.95V @ 1.5A 1.1 V 80ns -65°C ~ 150°C
1N3611E3/TR STD RECTIFIER Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 200V 1.1V @ 1A 200V -65°C ~ 175°C
UES1106HR2/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial 2A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.25V @ 1A 400V 50ns
JANS1N5619/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.6V @ 3A 600V 250ns -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/429
JANS1N5621 RECTIFIER DIODE Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.6V @ 3A 800V 300ns -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/429
UES1104HR2 RECTIFIER Microchip Technology A, Axial 2A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.25V @ 1A 200V 50ns
UES1002SM/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 975mV @ 1A 25ns
JANS1N5617 RECTIFIER DIODE Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.6V @ 3A 400V 150ns -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/429
JANS1N5614 RECTIFIER DIODE Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 200V 1.3V @ 3A 200V 2µs -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/427
UES1105E3/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 300V 1.25V @ 1A 300V 50ns -55°C ~ 150°C
JANS1N5614/TR STD RECTIFIER Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 200V 1.3V @ 3A 200V 2µs -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/427
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100