-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANS1N5616 | RECTIFIER DIODE | Microchip Technology | A, Axial | 1A | Standard | Through Hole | A, Axial | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 400V | 1.3V @ 3A | 400V | 2µs | -65°C ~ 200°C | Military, MIL-PRF-19500/427 | ||||||
JANS1N5616/TR | STD RECTIFIER | Microchip Technology | A, Axial | 1A | Standard | Through Hole | A, Axial | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 400V | 1.3V @ 3A | 400V | 2µs | -65°C ~ 200°C | Military, MIL-PRF-19500/427 | ||||||
UES1105E3 | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | Axial | 1A | Standard | Through Hole | A, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 300V | 1.25V @ 1A | 300V | 50ns | -55°C ~ 150°C | |||||||
1N5806 | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | A, Axial | 1A | Standard | Through Hole | A, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 150V | 25pF @ 10V, 1MHz | 875mV @ 1A | 150V | 25ns | -65°C ~ 175°C | ||||||
JANS1N5623/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | A, Axial | 1A | Standard | Through Hole | A, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.6V @ 3A | 500ns | -65°C ~ 200°C | Military, MIL-PRF-19500/429 | ||||||||
1N3611E3 | RECTIFIER STANDARD RECOVERY GLAS | Microchip Technology | A, Axial | 1A | Standard | Through Hole | A, Axial | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 200V | 1.1V @ 1A | 200V | -65°C ~ 175°C | ||||||||
1N5804E3 | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | Axial | 1A | Standard | Through Hole | A, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 100V | 25pF @ 10V, 1MHz | 875mV @ 1A | 100V | 25ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/477 | |||||
JANS1N5802US | RECTIFIER DIODE | Microchip Technology | A, Axial | 1A | Standard | Through Hole | A, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25pF @ 10V, 1MHz | 975mV @ 2.5A | 50V | 25ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/477 | ||||||
1N4098 | DIODE ZENER 150V A AXIAL | Microchip Technology | A, Axial | Through Hole | ±5% | A, Axial | -65°C ~ 175°C | 150V | 650 Ohms | 1µA @ 114V | ||||||||||
UZ736 | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | A, Axial | Through Hole | ±5% | A, Axial | -65°C ~ 175°C | 3W | 36V | 21 Ohms | 1µA @ 27.4V |
- 10
- 15
- 50
- 100