-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIC0860PL8-TP | SIC SCHOTTKY BARRIER , 8A ,650V | Micro Commercial Co | 4-XQFN Exposed Pad | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | DFN0808A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 36 µA @ 650 V | 346pF @ 0V, 1MHz | 1.6V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| SIC1060PL8-TP | SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V | Micro Commercial Co | 4-XQFN Exposed Pad | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | DFN0808A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 44 µA @ 650 V | 452pF @ 0V, 1MHz | 1.6V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100