-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ES1G | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | MDD | DO-214AC, SMA | 1A | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 400V | 1.25V @ 1A | 400V | 35ns | -55°C ~ 150°C | SMA |
| ES1D | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | MDD | DO-214AC, SMA | 1A | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 200V | 1V @ 1A | 200V | 35ns | -55°C ~ 150°C | SMA |
| ES2J | DIODE GEN PURP 600V 2A SMA | MDD | DO-214AC, SMA | 2A | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 600V | 1.68 V @ 2 A | 600V | 35ns | -55°C ~ 150°C | SMA | |
| ES2G | DIODE GEN PURP 400V 2A SMA | MDD | DO-214AC, SMA | 2A | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 400V | 1.25V @ 2A | 400V | 35ns | -55°C ~ 150°C | SMA |
- 10
- 15
- 50
- 100