-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LSIC2SD120D10 | SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 10A | Littelfuse Inc. | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 28A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263-2L | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 1200V | 582pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Gen2 |
| LSIC2SD120D15 | SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 15A | Littelfuse Inc. | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 44A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263-2L | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 1200V | 920pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 15A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Gen2 |
| LSIC2SD120D20 | SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 20A | Littelfuse Inc. | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 54.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263-2L | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 1200V | 1142pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 20A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Gen2 |
- 10
- 15
- 50
- 100