-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DZ600N14KHQSA2 | DIODE BG-PB501-1 | Infineon Technologies | Module | 735A | Standard | Chassis Mount | BG-PB501-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 40mA @ 1400V | 1.4V @ 2200A | 1400V | 150°C (Max) |
| DZ600N16KB01HPSA1 | THYR / DIODE MODULE DK | Infineon Technologies | Module | 735A | Standard | Chassis Mount | BG-PB501-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 40mA @ 1800V | 1800V | 150°C (Max) | |
| DZ435N40KS01HPSA1 | THYR / DIODE MODULE DK | Infineon Technologies | Module | 700A | Standard | Chassis Mount | BG-PB501-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 50mA @ 4000V | 4000V | 150°C (Max) |
- 10
- 15
- 50
- 100