-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ND171N16KHPSA1 | DIODE GP 1.6KV 171A BG-PB34-1 | Infineon Technologies | Module | 171A | Standard | Chassis Mount | BG-PB34-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 20mA @ 1600V | 1600V | -40°C ~ 135°C | |
| ND171N08KHPSA1 | DIODE BG-PB34-1 | Infineon Technologies | Module | 171A | Standard | Chassis Mount | BG-PB34-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 20mA @ 800V | 1.26V @ 500A | 800V | 150°C (Max) |
| ND171N18KHPSA1 | DIODE GP 1.8KV 171A BG-PB34-1 | Infineon Technologies | Module | 171A | Standard | Chassis Mount | BG-PB34-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 20mA @ 1800V | 1800V | -40°C ~ 135°C | |
| ND171N12KHPSA1 | DIODE GP 1.2KV 171A BG-PB34-1 | Infineon Technologies | Module | 171A | Standard | Chassis Mount | BG-PB34-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 20mA @ 1200V | 1200V | -40°C ~ 135°C | |
| ND171N14KHPSA1 | DIODE GP 1.4KV 104A BG-PB34-1 | Infineon Technologies | Module | 104A | Standard | Chassis Mount | BG-PB34-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 20mA @ 1400V | 1400V | -40°C ~ 135°C |
- 10
- 15
- 50
- 100