• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Ток утечки
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Рабочая температура перехода
ND104N18KHPSA1 DIODE GP 1.8KV 104A BG-PB20-1 Infineon Technologies Module 104A Standard Chassis Mount BG-PB20-1 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 20mA @ 1800V 1800V -40°C ~ 135°C
ND104N16KHPSA1 DIODE GP 1.6KV 104A BG-PB20-1 Infineon Technologies Module 104A Standard Chassis Mount BG-PB20-1 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 20mA @ 1600V 1600V -40°C ~ 135°C
ND89N12KHPSA1 DIODE GP 1.2KV 89A BG-PB20-1 Infineon Technologies Module 89A Standard Chassis Mount BG-PB20-1 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 20mA @ 1200V 1200V -40°C ~ 135°C
ND104N12KHPSA1 DIODE GP 1.2KV 104A BG-PB20-1 Infineon Technologies Module 104A Standard Chassis Mount BG-PB20-1 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 20mA @ 1200V 1200V -40°C ~ 135°C
ND89N16KHPSA1 DIODE GP 1.6KV 89A BG-PB20-1 Infineon Technologies Module 89A Standard Chassis Mount BG-PB20-1 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 20mA @ 1600V 1600V -40°C ~ 135°C
DD104N18KHPSA1 BRIDGE RECT 1PH 1.8V 104A PB20-1 Infineon Technologies Module 1.8kV 104A Single Phase Chassis Mount BG-PB20-1 Standard 150°C (TJ) 20mA @ 1800V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100