• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
DD750S65K3NOSA1 DIODE MODULE GP 6500V AIHV130-6 Infineon Technologies Module Standard Chassis Mount A-IHV130-6 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1100A @ 3600V 3.5V @ 750A 6500V -50°C ~ 125°C 2 Independent
DD250S65K3NOSA1 DIODE MODULE GP 6500V AIHV130-6 Infineon Technologies Module Standard Chassis Mount A-IHV130-6 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 370A @ 3600V 3.5V @ 250A 6500V -50°C ~ 125°C 2 Independent
DD250S65K3C1NPSA1 IHV IHM T XHP 3 3-6 5K Infineon Technologies Module Standard Chassis Mount A-IHV130-6 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 370mA @ 3600V 3.5V @ 250A 6500V -50°C ~ 125°C 2 Independent 250A (DC)
DD500S65K3NOSA1 DIODE MODULE VCES 3300V 500A Infineon Technologies Module Standard Chassis Mount A-IHV130-6 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 730A @ 3600V 3.5V @ 500A 6500V -50°C ~ 125°C 2 Independent
DD600S65K3NOSA1 DIODE MODULE GP 6500V AIHV130-6 Infineon Technologies Module Standard Chassis Mount A-IHV130-6 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 900A @ 3600V 3.5V @ 600A 6500V -50°C ~ 125°C 2 Independent
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100