-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DD1200S45KL3B5NOSA1 | DIODE MODULE 1200V 1200A | Infineon Technologies | Module | Standard | Chassis Mount | A-IHV130-4 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1500A @ 2800V | 3.1V @ 1200A | 4500V | -50°C ~ 125°C | 2 Independent |
| DD400S45KL3B5NOSA1 | DIODE MODULE GP 4500V AIHV130-4 | Infineon Technologies | Module | Standard | Chassis Mount | A-IHV130-4 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 500A @ 2800V | 3.1V @ 400A | 4500V | -50°C ~ 125°C | 2 Independent |
- 10
- 15
- 50
- 100