• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1755
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
BAT5403WE6327HTSA1 DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2 Infineon Technologies SC-76, SOD-323 200mA (DC) Schottky Surface Mount PG-SOD323-2 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 2µA @ 25V 10pF @ 1V, 1MHz 800mV @ 100mA 30V 5ns 150°C (Max)
IDH15S120AKSA1 DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO220-2 Infineon Technologies TO-220-2 15A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole PG-TO220-2-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 360µA @ 1200V 750pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 15A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C CoolSiC™+
D650N08TXPSA1 DIODE GEN PURP 800V 650A Infineon Technologies DO-200AA, A-PUK 650A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 20mA @ 800V 950mV @ 450A 800V -40°C ~ 180°C
IDP23011XUMA1 AC/DC DIGITAL PLATFORM Infineon Technologies
SIDC03D60F6X1SA2 DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER Infineon Technologies Die 6A (DC) Standard Surface Mount Sawn on foil Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 27µA @ 600V 1.6V @ 6A 600V -40°C ~ 150°C
BAR 50-02L E6327 RF DIODE PIN 50V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 50V PIN - Single PG-TSLP-2-1 150°C (TJ) 100mA 0.4pF @ 5V, 1MHz 250mW 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
BB 844 E6327 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 18V 1 Pair Common Cathode Surface Mount PG-SOT23 -55°C ~ 150°C (TJ) 13pF @ 8V, 1MHz 3.8 C2/C8
IDB30E60ATMA1 DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263 Infineon Technologies TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 52.3A (DC) Standard Surface Mount PG-TO263-3-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 600V 2V @ 30A 600V 126ns -40°C ~ 175°C
D690S20TXPSA1 DIODE GEN PURP 2KV 690A Infineon Technologies DO-200AB, B-PUK 690A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25mA @ 2000V 2.7V @ 3000A 2000V 9µs -40°C ~ 150°C
BAS7004E6433HTMA1 DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23 Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky Surface Mount PG-SOT23 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 100nA @ 50V 1V @ 15mA 70V 100ps 150°C (Max) 1 Pair Series Connection 70mA (DC)
DD230S18KHPSA1 DIODE ARRAY MOD 2900V 350A Infineon Technologies DD230S
BB535E7904 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Infineon Technologies SC-76, SOD-323 30V Single Surface Mount PG-SOD323-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.3pF @ 28V, 1MHz 9.8 C1/C28
D1800N43TVFXPSA1 DIODE GEN PURP 4.3KV 1800A Infineon Technologies DO-200AC, K-PUK 1800A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 100mA @ 4300V 1.32V @ 1500A 4300V -40°C ~ 160°C
SIDC23D120E6X1SA1 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER Infineon Technologies Die 25A (DC) Standard Surface Mount Sawn on foil Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 27µA @ 1200V 1.9V @ 25A 1200V -55°C ~ 150°C
IDC40S120C5X7SA1 SIC CHIP Infineon Technologies
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100