• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 189
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
G3S12010M SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P Global Power Technology Co. Ltd TO-220-2 Full Pack 23.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 765pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
G4S06508QT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN8* Global Power Technology Co. Ltd 4-PowerTSFN 34A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount 4-DFN (8x8) No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 395pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
GAS06520H SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI Global Power Technology Co. Ltd TO-220-2 Full Pack 30A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 1390pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 20A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S12020A SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P Global Power Technology Co. Ltd TO-220-2 73A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 2600pF @ 0V, 1MHz 1.7 V @ 120 A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S06508DT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN Global Power Technology Co. Ltd TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 32A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-263 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 550pF @ 0V, 1MHz 1.5V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S12020H SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P Global Power Technology Co. Ltd TO-220-2 Full Pack 24.6A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 1320pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 20A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
G52YT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A SMA Global Power Technology Co. Ltd DO-214AC, SMA 5.8A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount SMA No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 116.75pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 2A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S06506C SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN Global Power Technology Co. Ltd TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 22.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 424pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 6A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S06550PM SIC SCHOTTKY DIODE 650V 50A 2-PI Global Power Technology Co. Ltd TO-247-2 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AC No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 4400pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 50A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S06505C SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN Global Power Technology Co. Ltd TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 22.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 424pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 5A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S06505D SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN Global Power Technology Co. Ltd TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 22.6A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-263 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 424pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 5A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S12040B SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P Global Power Technology Co. Ltd TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 1.7V @ 20A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 62A (DC)
G4S06506AT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN Global Power Technology Co. Ltd TO-220-2 11.6A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 181pF @ 0V, 1MHz 1.8V @ 6A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S12010C SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P Global Power Technology Co. Ltd TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 33.2A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 765pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
G4S06510PT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI Global Power Technology Co. Ltd TO-247-2 31.2A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AC No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 550pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100