-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GB20SLT12-247D | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D | GeneSiC Semiconductor | TO-247-3 | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50µA @ 1200V | 1.8V @ 10A | 1200V | -55°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 25A |
| GB10SLT12-247D | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D | GeneSiC Semiconductor | TO-247-3 | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50µA @ 1200V | 1.9V @ 5A | 1200V | -55°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 12A |
- 10
- 15
- 50
- 100