-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBR2X160A200 | DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 200V | 920mV @ 160A | 200V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 160A | ||
| GD2X30MPS06N | 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 650V | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 42A (DC) | SiC Schottky MPS™ | |||
| MUR2X030A10 | DIODE GEN PURP 1000V 30A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Standard | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 1000V | 2.35V @ 30A | 1000V | 85ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 30A | |
| MUR2X100A04 | DIODE GEN PURP 400V 100A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Standard | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 400V | 1.3V @ 100A | 400V | 90ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 100A | |
| MBR2X120A045 | DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 45V | 700mV @ 120A | 45V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 120A | ||
| MBR2X030A060 | DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 60V | 750mV @ 30A | 60V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 30A | ||
| MUR2X060A02 | DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Standard | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 200V | 1V @ 60A | 200V | 75ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 60A | |
| GC2X50MPS06-227 | DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 10µA @ 650V | 1.8V @ 50A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 104A (DC) | SiC Schottky MPS™ |
| GB2X50MPS12-227 | SIC DIODE 1200V 100A SOT-227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 1200V | 1.8V @ 50A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 93A (DC) | SiC Schottky MPS™ |
| MBR2X080A080 | DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 80A | 80V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 80A | ||
| MBR2X080A060 | DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 60V | 750mV @ 80A | 60V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 80A |
- 10
- 15
- 50
- 100