-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GB2X100MPS12-227 | SIC DIODE 1200V 200A SOT-227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 80µA @ 1200V | 1.8V @ 100A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 185A (DC) | SiC Schottky MPS™ |
| MBR2X120A150 | DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 150V | 880mV @ 120A | 150V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 120A | ||
| MBR2X060A120 | DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 120V | 880mV @ 60A | 120V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 60A | ||
| MBR2X050A060 | DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 60V | 750mV @ 50A | 60V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 50A | ||
| MUR2X120A12 | DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Standard | Chassis Mount | SOT-227 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 1200V | 2.35V @ 120A | 1200V | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 120A | ||
| MBR2X030A080 | DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 30A | 80V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 30A | ||
| MBR2X080A045 | DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 45V | 700mV @ 80A | 45V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 80A | ||
| MBR2X120A060 | DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 60V | 750mV @ 120A | 60V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 120A | ||
| MBR2X100A080 | DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 100A | 80V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 100A | ||
| MBR2X050A080 | DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 50A | 80V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 50A | ||
| MBR2X030A045 | DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 45V | 700mV @ 30A | 45V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 60A | ||
| GD2X25MPS17N | 1700V 50A SOT-227 SIC SCHOTTKY M | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 1700V | 1.8V @ 25A | 1700V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 50A (DC) | SiC Schottky MPS™ |
| GD2X100MPS12N | 1200V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 25µA @ 1200V | 1.8V @ 100A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 136A (DC) | MSP |
| MBR2X050A120 | DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 120V | 880mV @ 50A | 120V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 50A | ||
| MBR2X060A180 | DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 180V | 920mV @ 60A | 180V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 60A |
- 10
- 15
- 50
- 100