• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
MBR3530 DIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 680mV @ 35A 30V -55°C ~ 150°C
FR6DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 200V 500ns -65°C ~ 150°C
MBR3580R DIODE SCHOTTKY REV 80V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 840mV @ 35A 80V -55°C ~ 150°C
FR12BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 100V 200ns -65°C ~ 150°C
FR12D02 DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
FR12J05 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 600V 500ns -65°C ~ 150°C
FR12B02 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 100V 200ns -65°C ~ 150°C
FR16G02 DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 900mV @ 16A 400V 200ns -65°C ~ 150°C
FR16KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.1V @ 16A 800V 500ns -65°C ~ 150°C
FR6MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 1000V 500ns -65°C ~ 150°C
MBR35100R DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 840mV @ 35A 100V -55°C ~ 150°C
MUR2510 DIODE GEN PURP 100V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1V @ 25A 100V 75ns -55°C ~ 150°C
S6GR DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 6A 400V -65°C ~ 175°C
FR6A02 DIODE GEN PURP 50V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 50V 200ns -65°C ~ 150°C
S12MR DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 1000V -65°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100