• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
S12GR DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 400V -65°C ~ 175°C
1N1199A DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 50V -65°C ~ 200°C
MUR2540 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.3V @ 25A 400V 75ns -55°C ~ 150°C
1N1204AR DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 400V -65°C ~ 200°C
1N5830R DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 25V -55°C ~ 150°C
FR16G05 DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.1V @ 16A 400V 500ns -65°C ~ 150°C
MBR3535 DIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 680mV @ 35A 35V -55°C ~ 150°C
1N5829R DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 20V -55°C ~ 150°C
S12B DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 100V -65°C ~ 175°C
S12DR DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 200V -65°C ~ 175°C
1N3889R DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 12A 50V 200ns -65°C ~ 150°C
FR12JR05 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 600V 500ns -65°C ~ 150°C
1N3892R DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 12A 400V 200ns -65°C ~ 150°C
GKN26/08 DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4mA @ 800V 1.55V @ 60A 800V -40°C ~ 180°C
FR6DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100