• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
S6QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 6A 1200V -65°C ~ 175°C
FR6BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 100V 500ns -65°C ~ 150°C
GKR26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4mA @ 400V 1.55V @ 60A 400V -40°C ~ 180°C
S12J DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 600V -65°C ~ 175°C
MUR2520R DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1V @ 25A 200V 75ns -55°C ~ 150°C
FR12M05 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 1000V 500ns -65°C ~ 150°C
GKR26/16 DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4mA @ 1600V 1.55V @ 60A 1600V -40°C ~ 180°C
FR12G05 DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 400V 500ns -65°C ~ 150°C
1N6096 DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 40V -55°C ~ 150°C
1N3881R DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15µA @ 50V 1.4V @ 6A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
FR16K05 DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.1V @ 16A 800V 500ns -65°C ~ 150°C
FR16BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.1V @ 16A 100V 500ns -65°C ~ 150°C
FR16D05 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.1V @ 16A 200V 500ns -65°C ~ 150°C
FR6G02 DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 400V 200ns -65°C ~ 150°C
S6MR DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 6A 1000V -65°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100