• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
FR12MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.4V @ 12A 1000V 500ns -65°C ~ 150°C
S6K DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 6A 800V -65°C ~ 175°C
S12M DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 1000V -65°C ~ 175°C
MBR3540R DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 680mV @ 35A 40V -55°C ~ 150°C
1N6095R DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 30V -55°C ~ 150°C
GKR26/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4mA @ 1200V 1.55V @ 60A 1200V -40°C ~ 180°C
FR12BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 100V 500ns -65°C ~ 150°C
FR6JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 600V 250ns -65°C ~ 150°C
SD4145R DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 30A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 35V 680mV @ 30A 45V -55°C ~ 150°C
MUR2520 DIODE GEN PURP 200V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1V @ 25A 200V 75ns -55°C ~ 150°C
SD41R DIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 30A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 35V 680mV @ 30A 35V -55°C ~ 150°C
1N1202A DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 200V -65°C ~ 200°C
FR6D05 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 200V 500ns -65°C ~ 150°C
S12KR DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 800V -65°C ~ 175°C
MUR2510R DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1V @ 25A 100V 75ns -55°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100