• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
MUR2560 DIODE GEN PURP 600V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.7V @ 25A 600V 90ns -55°C ~ 150°C
FR16DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 900mV @ 16A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
S6B DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 6A 100V -65°C ~ 175°C
1N3673A DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 1000V -65°C ~ 200°C
FR6GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 400V 500ns -65°C ~ 150°C
FR6K05 DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 800V 500ns -65°C ~ 150°C
1N6095 DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 30V -55°C ~ 150°C
S12JR DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 600V -65°C ~ 175°C
FR6JR05 DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 600V 500ns -65°C ~ 150°C
S12K DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 800V -65°C ~ 175°C
FR12J02 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 600V 250ns -65°C ~ 150°C
1N3882R DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15µA @ 50V 1.4V @ 6A 300V 200ns -65°C ~ 150°C
FR12GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 400V 200ns -65°C ~ 150°C
1N3880 DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15µA @ 50V 1.4V @ 6A 100V 200ns -65°C ~ 150°C
1N3881 DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15µA @ 50V 1.4V @ 6A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100