• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
1N5829 DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 20V -55°C ~ 150°C
FR12D05 DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 200V 500ns -65°C ~ 150°C
MBR3560R DIODE SCHOTTKY REV 60V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 750mV @ 35A 60V -55°C ~ 150°C
MBR3545 DIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 680mV @ 35A 45V -55°C ~ 150°C
FR16J05 DIODE GEN PURP 600V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.1V @ 16A 600V 500ns -65°C ~ 150°C
1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 600V -65°C ~ 200°C
1N6096R DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 40V -55°C ~ 150°C
1N1199AR DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 50V -65°C ~ 200°C
SD41 DIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 30A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 35V 680mV @ 30A 35V -55°C ~ 150°C
FR12DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
1N1204A DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 400V -65°C ~ 200°C
FR6A05 DIODE GEN PURP 50V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 50V 500ns -65°C ~ 150°C
MBR3560 DIODE SCHOTTKY 60V 35A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 750mV @ 35A 60V -55°C ~ 150°C
1N3883R DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15µA @ 50V 1.4V @ 6A 400V 200ns -65°C ~ 150°C
S12QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 1200V -65°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100