- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N2128A | DIODE GEN PURP 50V 60A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 60A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 50V | 1.1V @ 60A | 50V | -65°C ~ 200°C | |||||||||
MBRTA50080R | DIODE SCHOTTKY 80V 250A 3TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Schottky | Chassis Mount | Three Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 250A | 80V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 250A | ||||||||
MUR7020R | DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 70A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1V @ 70A | 200V | 75ns | -55°C ~ 150°C | ||||||||
MSRTA300120(A)D | DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Standard | Chassis Mount | Three Tower | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 200V | 1.2V @ 300A | 1200V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Series Connection | 300A (DC) | ||||||||
KBPC5004T | BRIDGE RECT 1PHASE 400V 50A KBPC | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, KBPC-T | 400V | 50A | Single Phase | QC Terminal | KBPC | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 400V | 1.1V @ 25A | |||||||||
MBRF500150 | DIODE SCHOTTKY 150V 250A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Schottky | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 150V | 880mV @ 250A | 150V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 250A | ||||||||
GBPC2508W | BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, GBPC-W | 800V | 25A | Single Phase | Through Hole | GBPC-W | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 800V | 1.1V @ 1.2A | |||||||||
FR70B05 | DIODE GEN PURP 100V 70A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 70A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 100V | 1.4V @ 70A | 100V | 500ns | -40°C ~ 125°C | ||||||||
FST7340M | DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M | GeneSiC Semiconductor | D61-3M | Schottky | Chassis Mount | D61-3M | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 40V | 700mV @ 35A | 40V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 35A | ||||||||
GBPC5010T | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPC | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, GBPC | 1kV | 50A | Single Phase | QC Terminal | GBPC | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 1000V | 1.1V @ 25A | |||||||||
S150K | DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA | GeneSiC Semiconductor | DO-205AA, DO-8, Stud | 150A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-205AA (DO-8) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 600V | 1.2V @ 150A | 800V | -65°C ~ 200°C | |||||||||
FR16G02 | DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AA, DO-4, Stud | 16A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-4 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 100V | 900mV @ 16A | 400V | 200ns | -65°C ~ 150°C | ||||||||
MBRT400100 | DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Schottky | Chassis Mount | Three Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 20V | 880mV @ 200A | 100V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 200A | ||||||||
MBRH12020R | DIODE SCHOTTKY 20V 120A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 120A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 4mA @ 20V | 650mV @ 120A | 20V | ||||||||||
BR106 | BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10 | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, BR-10 | 600V | 10A | Single Phase | Through Hole | BR-10 | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 10µA @ 600V | 1.1V @ 5A |
- 10
- 15
- 50
- 100