- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 600mV @ 300A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Серия: SiC Schottky MPS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 25A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 5µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 500A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 500A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Twin Tower
- Тип корпуса: Twin Tower
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 750mV @ 250A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Прямое напряжение: 580mV @ 400A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
- Прямое напряжение: 700mV @ 150A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 35V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 250A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 15µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 95A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 60A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10mA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 180°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 150A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 150A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 9.5mA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -60°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 110ns
- Ток утечки: 25µA @ 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Прямое напряжение: 700mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 40V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Прямое напряжение: 1V @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 150ns
- Ток утечки: 25µA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 16A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 16A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 30A
- Прямое напряжение: 1V @ 30A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Серия: SiC Schottky MPS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 19A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100